제주반도체 기업정보 (반도체, 복권 관련주)

※ 본글은 제주반도체 사업보고서와 공개자료를 토대로 작성되었습니다.

 

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 1  제주반도체

회사이름	(주)제주반도체
영문명	Jeju Semiconductor Corp.
공시회사명	제주반도체
대표자명	박성식, 조형섭(각자 대표)
법인구분	코스닥시장
법인등록번호	131111-0047918
사업자등록번호	129-81-33683
주소	제주특별자치도 제주시 청사로 1길 18-4
홈페이지	www.jeju-semi.com
전화번호	(064)740-1700
팩스번호	064-740-1750
업종명	전자집적회로 제조업
설립일	2000-04-04
결산월	12월

 

관계회사 현황

법인명	상장 여부	최초취득일자	출자 목적
동행복권(비상장)	비상장	2018.03.21	종속회사
램스웨이(비상장)	비상장	2007.08.09	종속회사
아이지엘(비상장, 구 인스턴트게임로지스틱스)	비상장	2015.08.12	종속회사

 

 

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 2  제주반도체 주요사업

 

1. 사업 내용

• 모바일 응용기기에 적용되는 메모리 반도체를 개발, 제조하여 이를 판매하는 사업을 영위하는 팹리스회사.
• 초창기부터 모바일 응용기기에 특화된 메모리 개발에 집중하여 초기 모바일용 에스램(SRAM), 슈도에스램(pSRAM), CRAM(Cellular RAM), 디램(DRAM), 노아 MCP(Nor MCP) 및 낸드 MCP(Nand MCP)를 순차적으로 개발 및 소싱하여 이를 시장에 공급.
• 스마트폰의 급속한 성장과 사물통신(M2M)을 포함한 사물인터넷(IoT), 웨어러블 및 자율주행등으로 인한 차량용반도체 등 다양한 산업분야에서 메모리 제품에 대한 수요가 창출되고 있어, 회사는 이들 응용 기기에 사용되는 Nand MCP 제품을 개발, 소싱하여 고객에게 공급.
• 종속회사 (주)동행복권은 기획재정부 복권위원회로부터 통합복권 발행업무를 위탁받아 2018년 12월 02일부터 2023년 12월 31일까지 5년간 국내 복권발행 및 판매사업을 전담하여 운영. 복권의 종류로는 크게 온라인(로또) 복권, 인쇄(스피또 500, 1000, 2000) 복권, 결합(연금복권 720) 복권 및 전자(인터넷) 복권이 있음.

 

2. 주요 제품 매출 비중

제품명	용도 및 기능	2021년 상반기
NAND MCP	모바일 메모리	74.93%
NAND Flash	모바일 메모리	10.13%
CRAM	모바일 메모리	3.99%
NOR MCP	모바일 메모리	3.23%
DRAM	모바일 메모리	6.72%
SRAM	모바일 메모리	0.77%
eMCP	모바일 메모리	0.11%
기타 메모리제품	모바일 메모리	0.11%

 

3. 시장 규모 및 전망

• Gartner는 "2020년 반도체시장에서 가장 성장율이 높은 장치는 메모리로 재택근무, 온라인 교육의 증가에 따른 서버 및 PC의 수요 증가에 힘입은 바 크고, 메모리시장은전년 대비 135억 달러가 증가했다. 이는 2020년 반도체시장 전체 증가분의 44%를 차지하는 규모이다. 그 중에서도 NAND 시장은 전년 대비 23.9% 증가해 전년 대비 102억 달러 증가한 528억 달러를 기록했다. 공급이 제한된 2020년 상반기에 가격이 급등했지만,2020년 공급과잉 상태가 되어 가격하락이 진행되었지만, 연간으로도 가격은 2% 하락에 그친 것이 크다"고 한다. 또한 Gartner는 2021년 반도체 시장의 성장율에 대해서 11.6% 증가를 예측하고 있다. 자동차용 반도체의 수요회복과 더불어 재택근무에 따른 수요도 계속 이어질 것으로 보여지고 있는 한편 게임기와 5G 스마트폰 등도 호조 전망이라고 한다.
• 메모리 반도체시장은 이동통신 기기의 등장으로 이미 모바일용 메모리 반도체가 주류 시장을 형성하고 있습니다. 특히, 모바일 응용기기의 경우 전원의 배터리 사용 시간을 늘리기 위하여 설계 단계에서부터 저전압을 가능케 하는 기능을 부여하는 저전력, 저전압 특성을 가진 메모리가 기술의 핵심이 되고 있습니다. 코로나 펜데믹으로 PC용 메모리 반도체시장이 회복되고 있고, 5G 통신 등 이동통신 기기의 진화와 발전은 세계경제의 부진 속에서도 모바일용 메모리 시장의 성장을 견인하는 디딤돌이 되고 있습니다.
• 한국반도체산업협회는 지난해 낸드플래시 산업이 수요 약세 속에서 공급이 증가해 2.1%의 공급 초과가 있었다고 합니다. 트렌드포스(TrendForce)의 최근 조사에 따르면, 노트북의 판매 호조로 PC OEM이 클라이언트 SSD를 추가로 주문하면서 낸드 수요가 계속 증가하고 있고, 데이터센터와 서버 부문의 고객이 더 적극적인 수요 플러스 요인이 있다고 합니다. 또한, 낸드플래시 공급측 재고가 일부 스마트폰 브랜드의 공격적인 생산활동으로 이미 상당폭 줄어들었다고 합니다. 이러한 긍정적인 요인에도 불구하고, 트랜드포스는 공급망의 IC가 심각한 부족 상태로 인해 노트북의 출하량이 기대에 미치지 못할 가능성을 경계해야 한다고 합니다. 하지만 장기적으로는 낸드플래시 시장의 지속적인 성장을 예상했고, 트랜드포스는 지난 해 560억 달러이던 낸드플래시 시장이 2023년에는 27% 성장해 715억 달러에 이를 것으로 전망하고 있습니다.

 

4. 특허 현황

등록일	발명의 명칭
06.04.13	클러스터 칼럼 디코딩 구조를 가지는 반도체 메모리 장치
03.04.17	셀프-리프레쉬 기능을 가지는 메모리 집적 회로 및 그 구동 방법
06.03.28	대기 모드에서 대기 전류를 감소시키는 반도체 메모리 장치
05.10.11	슈도우 에스램의 셀프 리프레쉬 정지 장치
06.04.13	로우 리던던시 리페어 효율을 증가시키는 반도체 메모리장치
03.07.29	리프레쉬 동작을 제어할수 있는 디램셀을 이용한 에스램 호환 메모리장치
05.10.11	동기식 반도체 메모리 장치의 열 선택 제어회로 및 열 선택 신호 구동방법
03.12.16	동일 뱅크 중복선택 방지 회로
04.02.23	웨이브 파이프라이닝 구조의 데이터 출력회로를 가지는 동기식 반도체 메모리 장치
03.11.27	적은 소모 전력과 빠른 응답 속도를 가지는 입력 버퍼 회로
05.07.07	반도체 장치 및 그의 레이아웃
05.04.28	반도체 장치의 배선 방법
10.12.23	데이터 리드의 오동작을 방지하기 위한페이지액티브회로를 구비한 의사 에스램
10.12.23	시리얼 플래쉬 메모리 장치 및 프리차아지 방법
10.12.23	플래쉬 메모리의 사이클링 불량을 검출하는 방법 및 그 장치

 

 

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 3  제주반도체 주요연혁

연월	사유
2000. 04	회사설립(주식회사 아펨스테크놀러지/성남시)
2000. 09	㈜이엠엘에스아이로 사명변경
2000. 11	벤처기업확인 인증획득
2001. 06	송파구 가락동으로 본사이전
2001. 07	기업부설연구소 설립(한국산업기술진흥협회)
2001. 12	4M SRAM 양산개시
2002. 01	ISO 9001 인증 획득(품질경영시스템)
2002. 12	4M SRAM(0.18um급) 개발 및 양산개시(Foundry: 동부전자㈜)
2003. 05	2M SRAM(0.18um급) 개발 및 양산개시(Foundry: 동부전자㈜)
2003. 12	1M & 8M SRAM(0.18um급) 개발 및 양산개시 (Foundry: 동부전자㈜)
2004. 05	16M PSRAM(0.175um급) 양산개시
2005. 01	일반공모 유상증자(코스닥상장을 위한)
2005. 01	송파구 가락동에서 제주시 연동으로 본사이전
2005. 02	회사 공개(코스닥상장법인)
2005. 05	16M PSRAM(0.13um급) 개발 및 양산 개시 (Foundry: 대만 Winbond)
2006. 10	미주 법인 설립(EMLSAI)_ 메모리 디자인 센터
2006. 12	Winbond 투자 유치(제3자 배정 유상증자/약 140억원)
2007. 07	Ramsway 주식양수도를 통한 종속회사 편입
2007. 08	BW 발행(110억원)
2008. 09	32M CRAM 1.5(90nm급) 양산개시
2009. 03	16M CRAM 1.5(90nm급) 양산개시
2009. 07	주주배정 유상증자(6,100,000주 발행)
2009. 10	64M CRAM 1.5(90nm급) 양산개시
2009. 12	128M DRAM 양산개시
2010. 01	64M CRAM 2.0 개발진행
2010. 07	Nor Flash Memory 개발착수
2011. 12	63nm CRAM 개발착수
2012. 04	미주 법인(EMLSAI) 청산
2012. 11	EST 지분양도로 자회사 제외
2012. 12	63nm 64m CRAM 양산개시
2013. 03	회사명 (주)제주반도체로 변경 (EMLSI → JSC)
2013. 07	각자대표이사 체제 출범 (대표이사 박성식/조형섭)
2013. 10	45nm급 256M Low Power DDR1 양산개시
2013. 11	Nand MCP 공급개시
2014. 05	45nm급 512M LPDDR1 양산개시
2014. 05	90nm급 4M SPI Nor Flash 양산개시
2014. 09	45nm급 1G LPDDR1 양산개시
2014. 2Q	38nm급 2G Low Power DDR2 개발착수
2015. 08	(주)인스턴트게임로지스틱스( 구, 저지에코밸리) 종속회사 사업 개시
2017. 01	UMC와 DRAM 용역개발 계약 체결
2018. 03	(주)동행복권 종속회사 사업개시(18년 12월 2일 로또 발권 개시)
2021. 03	벤처기업확인 재인증 획득

 

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